Описание
Храктеристика устройства:
1 материал: силикон высокой чистоты
2 Размер: 4 дюйма
3 диаметр и допуск: 100 ± 0,4 мм
4 Толщина: 500um
Толщина оксида 5: 285 нм
6 Модель: P
7 Технические характеристики: двойной кислород
8: RСред с 0,001-0,005Омега (см)
9 направление кристаллов: <100>
10 полировка: диоксид кремния
11 основных применений: PVD/CVD покрытие, магнетронное напыление, XRD, SEM, образец роста атомных сил, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия, подложка, подложка, молекулярный лучевой эпитаксиальный рост полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.
Откройте для себя великолепие инновационного товара "4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление" на Магнитрон.ру! Погрузитесь в мир передовых технологий и стильного дизайна. Покупайте с уверенностью, создавайте неповторимый опыт использования вместе с нами!
Характеристики
- Стандартный
- GB
- Номер модели
- Crystal orientation 100/ Model P
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Габаритные размеры
- Oxide thickness 285nm
- Материал
- Monocrystalline silicon